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- 产品描述
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- 商品名称: TP65H300G4LSG Transphorm 650V 300MR GaN场效应管PQFN 8*8
- 商品编号: 1331921034675900416
TP65H300G4LSG 650V，300米Ω 氮化镓（GaN）
FET是一种常关器件。它结合了最先进的高科技
电压GaN HEMT和低压硅MOSFET
提供卓越可靠性和性能的技术。
Transphorm GaN提供了比硅更高的效率，
通过更低的栅极电荷、更低的交叉损耗和更小的
反向恢复充电。
特点
第四代技术
JEDEC合格的GaN技术
动态R DS（开）生产测试
稳健设计，定义如下
-固有寿命试验
-宽闸门安全裕度
-瞬态过电压能力
Q RR非常低
减少交叉损耗
符合RoHS标准且无卤素包装
好处
实现AC-DC无桥图腾柱PFC设计
-功率密度增加
-减小了系统尺寸和重量
-总体上降低了系统成本
在硬件和软件方面都实现了更高的效率-
开关电路
使用常用的门驱动器易于驾驶
GSD引脚布局改进了高速设计
应用程序
数据通信
广泛的工业
光伏逆变器
主要规格
V DS（V）最小650
V（TR）DSS（V）最大725
R DS（开）（mΩ) 最大*340
Q RR（nC）典型待定
Q G（nC）典型待定
13632534755
地址：深圳市福田区南园街道统建楼丙栋12F
